افزایش گاف کامل در ساختارهای کریستال فوتونی تیغه ای
Publish place: 16th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,401
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_183
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
Abstract:
از آنجا که کریستال های فوتونی سازنده بقیه المان های مدارهای مجتمع نوری هستند، دستیابی به ساختارهایی با مشخصات مطلوب تر دارای اهمیت نسبتا زیادی است. یکی از ویژگی های مهم این کریستال ها ایجاد گاف نوری است. در این مقاله به بهینه سازی ساختار کریستال های فوتونی تیغه ای به منظور افزایش گاف فرکانسی کامل در آنها پرداخته شده است. نسبت به ساختارهای قبلی، در ساختار پیشنهادی گاف کامل به دست آمده بیش از دو برابر می باشد. برای بهینه سازی گاف کامل از روش PWE سه بعدی استفاده شده است. الگوریتم بهینه سازی به گونه ای است که علاوه بر پیدا کردن ماکزیمم عمومی به بررسی ماکزیمم های محلی نیز می پردازد. در این مقاله نشان خواهیم داد که هرچند از لحاظ عملی ماکزیمم های محلی نسبت به ماکزیمم عمومی گاف کامل کوچکتر دارند، اما در برخی موارد پارامترهای اجزاء ساختار در این کریستال ها به گونه ای است که پیاده سازی عملی آنها را ساده تر می سازد.
Keywords:
Authors
محمد دانایی
مرکز تحقیقات مخابرات و کامپیوتر دانشگاه فردوسی مشهد
امیر رضا عطاری
گروه برق دانشکده مهندسی دانشگاه فردوسی مشهد
میر مجتنبی میر صالحی
گروه برق دانشکده مهندسی دانشگاه فردوسی مشهد
ساسان ناصح
گروه برق دانشکده مهندسی دانشگاه فردوسی مشهد
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :