علی اصغر اروجی - دانشگاه سمنان

در این مقاله یک ترانزیستور میدان نوین در تکنولوژی سیلیسیم روی عایق آنالیز و شبیه سازی شده است. در این ترانزیستور از نواحی سورس و درین الکتریکی برای بهبود آثار کوچک سازی سول کانال استفاده شده است. با استفاده از یک شبیه ساز دو بعدی پارامترهای گوناگون این ترانزیستور از قبیل مشخصه خروجی، ولتاژ آستانه، میدان الکتریکی و دمای الکترون ها مورد بررسی و تجزیه و تحلیل قرار می گیرند. همچنینی مشخصات فوق با مشخصات یک ترانزیستور مشابه اما بدون نواحی سورس و درین الکتریکی مقایسه می گردند. نتایج شبیه سازی ها نشان می دهند که این ترانزیستورها می توانند نقش مهمی در جهت کاهش ابعاد ترانزیستورها و افزایش قابلیت اطمینان در آنها داشته باشند.

ترانزیستور اثر میدان ، سیلیسیم روی عایق ، اثرات کوچک سازی کانال ، سد پتانسیل ناشی از ولتاژ درین