تأثیر نابرابری خازن ها و مقاومت های سورس و درین بر مشخصه های ترانزیستور تک الکترون
Publish place: 16th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,440
This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_308
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
Abstract:
در این مقاله ترانزیستور تک الکترون نامتقارن را با استفاده از روش معادلات اصلی و با فرض اعتبار قضیه ارتودوکس شبیه سازی کرده ایم. علاوه بر بررسی تاثیر نابرابری مقاومت های سورس ودرین (Rs≠ Rd) و همچنین نابرابری خازن های آن دو (CS≠ CD) بر روی مشخصه های جریان - ولتاژ ترانزیستور، علت تغییر شکل منحنی های حاصل نسبت به حالت متقارن تحلیل و بررسی شده است.
Keywords:
Authors
علی شاه حسینی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات تهران و دانشگاه آزاد اسلامی ق
کامیار ثقفی
گروه الکترونیک، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه شاهد
محمد کاظم مروج فرشی
گروه الکترونیک، دانشگاه تربیت مدرس
رحیم فائز
گروه الکترونیک، دانشکده برق دانشگاه صنعتی شریف
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :