An Investigation into Electrical Characteristics of the Double Gate p-IMOS and its Comparison with the Single Gate p-IMOS
Publish place: 16th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 2,063
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_310
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
Abstract:
In this paper a double gate p-IMOS (DG p- IMOS) device is analyzed. Simulation studies at 400 K show that not only this device provides smaller subthreshold slope, threshold voltage and gate capacitance but also larger ON/OFF current ratio and higher transconductance as compared to an equivalent single gate p-IMOS (SG p-IMOS).
Keywords:
Authors
Faezeh Arab Hassani
Device Modeling and Simulation Lab, ECE Dept., University of Tehran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :