ارائه شبیه ساز مدارات متشکل از ترانزیستورهای تک الکترونی چند مقداری در سطح گیت
Publish place: 16th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,051
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_322
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
Abstract:
ترانزیستورهای تک الکنرونی بر اساس انتقال یک به یک الکترون ها عمل می کنند و در عین کوچک بودن، توان مصرفی بسیار پایینی دارند؛ از این رو اینگونه مدارات مورد توجه جدی محققین قرار گرفته است. ارائه شبیه سازی های مختلف برای مدارهای مبتنی بر ترانزیستورهای تک الکترونی به طراحان این امکان را می دهد تا بتوانند مدارات پیشنهادی خود را بیازمایند. در این مقاله برای اولین بار، جهت کاهش پیچیدگی های طراحی مدارات چند مقداری مبتنی بر ترانزیستورهای تک الکترونی، یک برنامه شبیه ساز در سطح گیت برای شبیه سازی این مدارات ارائه شده است. در این شبیه ساز توابع پایه منطق چند مقداری توسط زبان برنامه نویسی ++C پیاده سازی شده است. با استفاده از این شبیه ساز طراح می تواند بدون آنکه درگیر پیچیدگی های طراحی مدار شود، ایده های جدید و توابع بزرگ را شبیه سازی کند و از درستی کارکرد آن مطمئن شود. با استفاده از این برنامه شبیه ساز، یک جمع کننده دو بیتی در منطق سه تایی شبیه سازی شده است و درستی عملکرد مداری آن تایید شده است.
Keywords:
Authors
داوود بهره پور
عضو هیات علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مشهد
محمد جواد شریفی
استادیار دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه شهید بهشتی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :