مهدی مرادی نسب - دانشکده فنی دانشگاه تهران
هادی حسین زادگان - دانشکده فنی دانشگاه تهران
مرتضی فتحی پور - دانشکده فنی دانشگاه تهران

در این مقاله، ما مدلی تحلیلی برای ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی به عنوان کانال جریان الکتریکی در ناحیه ی زیر آستانه ارائه نموده ایم. به منظور مدل سازی ابن نوع افزاره ها، از رابطه بازگشتی که در محاسبات عددی مدل سازیرابطه جریان ولتاژ این ترانزیستور ها برقرار می باشد، استفاده شده است و وابستگی تابع چگالی حالت ها به سطح انرژی فرمی تقریب زده شده است. ماهیت این تقریب برای ناحیه زیر آستانه درجه دو و برای ناحیه ی بالای آستانه نمایی می باشد. در ادامه، با مقایسه نتایج تحلیلی با اندازه گیری های تجربی نشان داده ایم که چنین نشان داده ایم که چنین تقریبی در ناحیه زیر آستانه معتبر است، اما در ناحیه بالای آستانه به صورت تحلیلی به پاسخ همگرایی منجر نمی شود. در پایان، روشی برای مدل سازی ناحیه بالای آستانه پیشنهاد شده است.

نانو لوله کربنی، ناحیه زیر آستانه، مدل بسته جریان -ولتاژ، ترانزیستور اثر میدانی