بررسی مشخصات الکتریکی ترانزیستور PMOSFET با ساختار نا متجانس سیلیسیم / سیلیسیم - ژرمانیوم تحت کرنش در ابعاد نانومتری
Publish place: 16th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 2,626
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_355
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
Abstract:
در این مقاله عملکرد ترانزیستور p-MOSFET با ساختار سیلیسیم / سیلیسیم - ژرمانیوم تحت کرنش (Strain) برسی شده است. در این ساختار، حضور لایه سیلیسیوم / سیلیسیوم - ژرمانیوم در کنار لایه ای از سیلیسیوم، موجب عدم تطبیق شبکه ای بین این لایه ها و به تبع آن ایجاد کرنش در لایه سیلیسیوم - ژرمانیوم می شود. این پدیده موجب افزایش قابلیت حرکت حفره ها و نیز تشکیل چاه پتانسیلی در محل فصل مشترک سیلیسیوم / سیلیسیوم - ژرمانیوم می گردد. از آنجا که در این افزاره دو لایه وارون نقش کانال را ایفا می کنند دو ولتاژ آستانه وجود خواهند داشت. نشان داده ایم که افزایش درصد مولی ژرمانیوم در لایه سیلیسیوم - ژرمانیوم موجب افزایش اختلاف دو ولتاژ آستانه می گردد. همچنین افزایش درصد مولی ژرمانیوم نیز موجب افزایش خازن گیت می شود.
Keywords:
Authors
مرتضی فتحی پور
دانشیار دانشگاه تهران
بهروز عباس زاده
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران مرکز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :