Circuit Model of Carrier and Photon Dynamics in Semiconductor Self Assembled Quantum Dot Laser
Publish place: 16th Iranian Conference on Electric Engineering
Publish Year: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: English
View: 2,268
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEE16_359
تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1386
Abstract:
In this work, for the first time, we present circuit-level implementation of self assembled (SA) InGaAs-GaAs QD-laser, based on the standard rate equations. By using the presented model, the effect of carrier dynamics on the QD laser performance is investigated. The simulated results show that the retarded carrier relaxation due to phonon bottleneck degrades the threshold current, 3dB frequency and the external quantum efficiency of QD laser which is in agreement with the results reported by other researchers. The model explains excellently the experimental results found in self-assembled InGaAs-GaAs quantum dot laser.
Keywords:
Self assembled quantum dot , wetting layer , phonon bottleneck , external quantum efficiency , quantum well
Authors
M.H Yavari
Dept. of Elect. Eng., Tarbiat Modares University, Tehran, Iran
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :