تاثیر اثر خودگرمایی بر روی هدایت خروجی ماسفت SOI

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 314

This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF03_0156

تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395

Abstract:

ماسفتهای سیلیکون بر روی عایق، توسط اکسید خوابانده شده از قسمت زیر بدنه جدا می شوند. حضور اکسید خوابانده شده، باعث ایجاد یک ایزولاسیون قوی در ماسفت و در نتیجه، کاهش خازنهای پیوندی، کاهش جریانهای نشتی و از همه مهمتر حذف اثر قفل شدگی می شود. اما در کنار تمام مزایایی که حضور اکسید خوابانده شده از خود نشان می دهد باعث ایجاد یک عیب قابل توجه به نام اثر خودگرمایی می شود.

Keywords:

اثر خودگرمایی , ماسفت سیلیکون بر روی عایق

Authors

هستی عباسی

کارشناسی ارشد، دانشکده فنی مهندسی، واحد کرمانشاه، دانشگاه آزاد اسلامی، کرمانشاه، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • J. Jomaah, G. Ghibaudo, F. Balestra, and JL. Pelloie, Proceedings ...
  • J.S. Broadsky, R.M.Fox, D.T. Zweidinger, and S _ veeraraghav an, ...
  • L.T. Su, K.E.Goodson, D.A. Antoniadis, M.I. Flik, and J.E. Chung, ...
  • L.J. Mc Daid, S. Hall, P.H. Mellor, W. Eccleston, and ...
  • Lisa T.Su, James E.Chung, Dimitri A.Antoniadis, Kenneth E Goodson and ...
  • H.S. Sheng, S.S. Li, R.M. Fox, and W.S. Ktull, IEEE ...
  • A.S. Grove, "Physics and Technology of S emiconductor Devices", J. ...
  • F.L. Duan, S.P. Sinha, D.E. Ioannou, and F.T. Brady, IEEE ...
  • D. Chang, S. V eeraraghavan , M. Mendicino, M. Rashed, ...
  • نمایش کامل مراجع