برسی توان مبدل های دیجیتال به آنالوگ نردبان R-2R با استفاده از مدار پشته، در تکنولوژی 65 نانو CMOS
Publish place: Third National Conference and First International Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,025
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0232
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
Abstract:
مصرف توان یکی از نگرانی های بالا مدارهای VLSI، که ماسفت تکنولوژی اولیه آن است. تمرکز امروزه در توان کم، نه تنها بخاطر خواسته های اخیر در حال رزشد از کاربردهای تلفن همراه است، حتی قبل از دوران تلفن همراه مصرف توان یک مشکل اساسی بوده است. تکنیک های مختلف ذخیره سازی توان باعث شده که در این مقاله از مدار پشته بجای مدار وارانگر در قسمت سوئیچینگ مبدل دیجیتال به آنالوگ نردبان R-2R، استفاده شود. سپس باسایزینگ ترانزیستورها در تکنولوژی 65 نانومتر نرم افزار Hspice شبیه سازی، و به بررسی مشخصه توان مبدل با ساختار جدید پرداخته شده است. استفاده از مدار پشته باعث شده، مقدار اتلاف توان در قسمت سوئیچینگ را بیش از 80 درصد کاهش دهد که این مقدار منجر به بهبود در مشخصه توان در مبدل دیجیتال به آنالوگ با ساختار جدید می گردد.
Keywords:
اتلاف توان , تکنولوژی 65 نانومتر سیماس , مبدل دیجیتال به آنالوگ , مدار پشته , نردبان R-2R , نرم افزار Hspice
Authors
سید بهروز مهدوی ساداتی
دانشجوی کارشناسی ارشد دانشگاه آزاد اسلامی واحد مهریز
محمدجعفر تقی زاده مروست
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مهریز
سید محمد صادق طباطبایی فر
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد مهریز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :