اثر کینک در ماسفت های SOI

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 678

This Paper With 8 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF03_0351

تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395

Abstract:

اثر کینک توسط حضور یک پرش (کینک) در نمودار جریان درین برحسب ولتاژ درین مربوط به یک ماسفت سیلیکون بر روی عایق تعریف می شود. این پدیده، در ولتاژ درین خاصی اتفاق می افتد. در واقع، هنگامیکه ولتاژ درین از یک حدی بزرگتر شود ( بناربر سایز و مشخصه های فیزیکی ماسفت ) این پدیده اتفاق می افتد.

Keywords:

اثر کینک , ماسفت سیلیکون بر روی عایق , ولتاژ درین

Authors

احمد علی رضایی

کارشناسی برق قدرت، مدیرعامل شرکت فنی مهندسی نور توان قائم، مجری طرح های نیرو رسانی و توزیع برق، کرمانشاه، ایران

صمد قلندری

کارشناسی برق الکترونیک، شرکت فنی مهندسی نور توان قائم، مجری طرح های نیرو رسانی و توزیع برق، کرمانشاه، ایران

هستی عباسی

کارشناسی برقالکترونیک، شرکت فنی مهندسی نور توان قائم، مجری طرح های نیرو رسانی و توزیع برق، کرمانشاه، ایران

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • B. Dierickx, L. Warmerdam, E. Simoen, J. Vermeiren, and C.Claeys, ...
  • J. Tihanyi and H Schlotterer, IEEE Transactions On. Electron Devices, ...
  • G. Merckel, NATO Course o Process and Device Modeling for ...
  • J.G. Fossum, R. Sundaresan, and M. Matloubian, IEEE Transactions on ...
  • Rupter Howes and William Redman -White , "A small-signal model ...
  • T.C.Hsiao, P. Liu, and J. C. S. Woo, "Advanced technologies ...
  • Y.-C. Tseng, W.M. Huang, D. Monk, D. C. Diaz, J. ...
  • bipolar-MOS device", IEEE Trans Electron controlled-ع 8. Coling J-P. "An ...
  • Assaderaghi F, SinitskyD, Parke SA, Bokor J, Ko PK, Hu ...
  • Pelloie JL, Flatresse P, Faynot O, Raynaud C. _ C ...
  • Lee J-K, Choi N-J, Yu C-G, Colinge J-P, Park J-T., ...
  • J.-P Colinge, _ S ilicon- on-Insulator Technology : Materials to ...
  • _ Kilchytska, A. Neve, L. Vcaillie, D. Levacq, S. Adriaensen, ...
  • F. Assaderaghi, D. Sinitsky, S. A. Parke, J. Bokor, P.K. ...
  • Tanaka T, Momiyama Y, Sugii T. "Fmax enhancement of dynamic ...
  • Momiyama Y, Hirose T, Kurata H, Goto K, Watana be ...
  • نمایش کامل مراجع