ارائه مدل شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی چند کاناله
Publish place: Third National Conference and First International Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 492
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0402
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
Abstract:
در این مقاله ما به ارائه یک مدل جدید، جهت شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی چند کاناله می پردازیم. به دلیل اینکه خازن های داخلی افزاره، بسیار مهم بوده و تاثیر زیادی بر مشخصه های جریانی آن خواهد گذاشت. در این بررسی ابتدا خازن های ذاتی و پارازیتی ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی چند کاناله را، با در نظر گرفتن اثرات پوششی بین کانال های مجاور نشان خواهیم داد. سپس با معرفی شبیه ساز بالستیک برای ترانزیستور اثر میدانی با هندسه مشخص، به ارائه مدل جدید شبیه سازی برای ترانزیستورهای چند کاناله، با در نظر گرفتن کامل خازن های ساختار آن، خواهیم پرداخت و مشخصه جریانی افزاره را بدست خواهیم آورد.
Keywords:
Authors
مینا احمدی مرجقل
کارشناس ارشد برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت
سید علی صدیق ضیابری
دکتری برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :