مینا احمدی مرجقل - کارشناس ارشد برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت
سید علی صدیق ضیابری - دکتری برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد رشت

در این مقاله ما به ارائه یک مدل جدید، جهت شبیه سازی ترانزیستورهای نانولوله کربنی چند کاناله می پردازیم. به دلیل اینکه خازن های داخلی افزاره، بسیار مهم بوده و تاثیر زیادی بر مشخصه های جریانی آن خواهد گذاشت. در این بررسی ابتدا خازن های ذاتی و پارازیتی ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی چند کاناله را، با در نظر گرفتن اثرات پوششی بین کانال های مجاور نشان خواهیم داد. سپس با معرفی شبیه ساز بالستیک برای ترانزیستور اثر میدانی با هندسه مشخص، به ارائه مدل جدید شبیه سازی برای ترانزیستورهای چند کاناله، با در نظر گرفتن کامل خازن های ساختار آن، خواهیم پرداخت و مشخصه جریانی افزاره را بدست خواهیم آورد.

ترانزیستور نانولوله کربنی چند کاناله، اثرات پوششی، خازن ذاتی، خازن پارازیتی