بهینه سازی موجبر شیاری استریپی نانوفوتونیک سیلیکونی برای کاربردهای غیرخطی
Publish place: Third National Conference and First International Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 484
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0631
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
Abstract:
در مدارهای مجتمع نانوفوتونیک سیلیکونی از یک زیرساخت موجبری واحد به منظور طراحی و ساخت قطعات مختلف استفاده می شود. موجبر شیاری سیلیکونی یکی از جدید ترین و بهترین زیرساخت های موجبری است، زیرا شدت نور بالایی در محل شیار فراهم نموده و در این ناحیه می توان از سیلیکای دوپ شده با نانوکریستال های سیلیکونی (Si-nc:SiO2) به عنوان یک ماده جدید سازگار با فناوری CMOS که دارای ضریب شکست غیرخطی بالا و ضریب شکست خطی پایین است، استفاده کرد. در این مقاله، تحلیل مودی تمام - موج موجبرهای شیاری استریپی عمودی و افقی در رژیم های خطی و غیرخطی با استفاده از فرمولبندی خط انتقالی مبتنی بر بسط لانکزوس- فوریه انجام شده و ضخامت بهینه شیار به منظور تحقق حداکثر کارآیی غیرخطی موجبر بدست آمده است.
Keywords:
Authors
امیر رجب زاده شریف
استادیار دانکشده مهندسی برق ، دانشگاه صنعتی سهند تبریز
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :