افزایش میزان جذب و جریان خروجی ترانزیستور نوری فلز- نیمه رسانا- فلز (MSM) به کمک نانوتوری فلزی پلاسمونی
Publish place: Third National Conference and First International Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 456
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0722
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
Abstract:
در این مقاله، یکک ترنازیستور نوری فلز- نیمه رسانا- فلز (MSM)، با بکلربردن روزنه ی زیرطول موج، نانوتوری نانو ذرات به روش عددی المان محدود شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که با تاباندن موج الکترومغناطیسی TM، بازوایای تالبش 0/7-0/8 رادیان و طول موج 720-740 نانومتر پلاسمون های سطحی برانگیخته می شود و با انتخاب ماده ی GaAs بعنوان زیرلایه می توان به بیشترین مقدار جذب (0/99=α) دست یافت. در این وضعیت جریان کلکتور ترانزیستور 0/54 میکروآمپر می باشد. به جهت ایجاد ویژگی تقویت کنندگی در این ساختار از زیرلایه نوع p ( با توجه به اینکه دیود نوری MSM تک حاملی و از نوع n است ) استفاده شده است.
Keywords:
ترانزیستور نوری فلز- نیمه رسانا- فلز (MSM) , پلاسمون پلاریتون های سطحی (SPP) , موچ پلاسمون سطحی (SPW) , نانو توری
Authors
محمدرضا شاهی وظیفه
گروه مهندسی برق و الکترونیک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زهدان، ایران
محمدعلی بیرجندی
گروه مهندسی برق و الکترونیک، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه سیستان و بلوچستان، زهدان، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :