بررسی تأثیر پارامترهای ترانزیستور CNFET بر عملکرد مدارهای D-Latch توان پایین و سرعت بالا
Publish place: Third National Conference and First International Conference on Applied Research in Electrical, Mechanical and Mechatronics Engineering
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 518
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ELEMECHCONF03_0801
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
Abstract:
هدف ما در این مقاله بررسی تأثیر پارامترهای ترانزیستور CNFET بر عملکرد مدارهای D-Latch توان پایین و سرعت بالا می باشد. از D لچ ها برای طراحی سلول های حافظه که امکان ذخیره سازی یک بیت اطلاعات را دارد استفاده می کنند. ابتدا با استفاده از نرم افزار HSPICE سه نمونه مدار D-latch را در محیط CNFET شبیه سازی نموده سپس بمنظور بررسی و مقایسه عملکرد مدارها در ولتاژهای مختلف، پارامترهای آن از قبیل توان مصرفی، میزان تأخیر و مقدار PDP (حاصلضرب توان در تأخیر) را در فرکانس 100 مگاهرتز بدست می آوریم. در انتها به بررسی تأثیر پارامترهای ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله ی کربنی بر عملکرد مدار D لچ می پردازیم.
Keywords:
ترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی(D-latch , (CNFET , توان پایین , سرعت بالا , تحرک پذیری الکترون ها
Authors
سید محسن عبدالهی موسوی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق- الکترونیک، دانشگاه لرستان
عباس رمضانی
استادیار و عضو هیات علمی دانشگاه لرستان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :