سینا رستمی - گروه مهندسی برق، دانشکده برق و کامپیوتر، واحد تهران غرب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
علی پورمحمد - حق التدریس، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران، ایران
مریم شاهنگیان - گروه مهندسی برق، دانشکده برق و کامپیوتر، واحد تهران غرب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران

یکی از مشکلات مهم در مدارهای دیجیتال، اثرات نویز تلگرافی تصادفی است. درراستای حلاین مشکل، از بهترین پیشنهادات می توان به نتایج آقای مولانگلو اشاره کرد. در این مقاله علمی تزویجی، این تحقیق مورد بررسی و نتایج آن مورد ارزیابی قرار گرفته است. نویز تلگرافی تصادفی (RTN) از مهمترین منابع تغییرات دینامیک در MOSFET ( ترانزیستورهای با اثر میدانی از جنس اکسیدهای فلزی ) با مقیاس فوق العاده (ultrascale) می باشد. در این مقاله اثرات تله ای ac RTN در مدارهای دیجیتال و اثرات آن ها بر عملکرد مدار به طور سیستماتیک مورد تحقیق و بررسی قرار می گیرد. به جای احتمال اشغال تله (trap occupancy) در شرایط بایاس دی سی (Pdc) که به طور سنتی برای تعیین مشخصات RTN مورد استفاده قرار می گیرد، احتمال اشغال تله آی سی یعنی درصد مفید زمان تله تحت شرایط بایاس پیشنهاد می گردد و به صورت تحلیلی برای تحقیق و بررسی در زمینه رفتار RTN trapping / detrapping مورد ارزیابی قرار می گیرد. اثرات RTN بر عملکردهای مدار دیجیتال، مثلاً احتمال خرابی سلول های SRAM و جیترهای اوسیلاتور حلقوی در این صورت به کمک شبیه سازی مورد ارزیابی قرار می گیرد و صحت و سقم آن با توجه به پیش بینی هایی که براساس Pac صورت گرفته است تعیین می گردد. نتایج نشان می دهد که موارد نزول عملکرد به شدت وابسته به فشار بار (workload) می باشد، و همچنین نشان می دهد که Pac در ارزیابی دقیق نزول عملکرد ناشی از RTN و متغیر بودن آن نقش بسیار مهمی ایفا می کند. نتایج برای طراحی درست و انعطاف پذیر مدار مفید فایده خواهد بود.

یاتاقان غلتشی، تشخیص خطا، SVM، استخراج ویژگی