سینا رستمی - گروه مهندسی برق، دانشکده فنی مهندسی، واحد تهران غربی دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
علی پورمحمد - حق التدریس، دانشکده مهندسی برق، دانشگاه صنعتی امیرکبیر، تهران، ایران
جمشید محمدی - گروه مهندسی برق، دانشکده فنی مهندسی، واحد میانه، دانشگاه آزاد اسلامی، میانه، ایران

یکی ازمشکلات مهم در مدل سازی ترانزیستورهای با اثر میدان برای طراحی مدارهای A/D، مقایسه و پیاده سازی آنان و مستقیم در مدار است. در راستای حل این مشکل، از بهترین پیشنهادات می توان به نتایج خانم آنا پری اشاره کرد. در این مقاله علمی تزویجی، این تحقیق مورد بررسی و نتایج آن مورد ارزیابی قرا گرفته است. در این طرح پیشنهادی یک مدل از ترانزیستورهای تحت تاثیر میدان نانو لوله کربنی (CNT_FET) که به راحتی و مستقیماً با نرم افزار SPICE که برای طراحی مدارهای الکترونی است شبیه سازی می شود، ارائه داده شده است. مدل مبتنی بر تخمین های تحلیلی و پارامترهای بدست آمده از شبیه سازی مکانیکی کوانتومی دستگاه است و وابسته به ضخامت ( یا قطر لوله ) لوله ی نانویی و اکسیئ خازن است. مقایسه خروجی و مشخصه های انتقالی شبیه سازی شده با مدلهای عددی نشان می دهد که به ازای هر دو مورد خطای نسبی کمتر از 5 درصد وجود دارد. به منظور تعیین مقادیر عناصر مدار معادل CNTFET روش جدیدی پیشنهاد شده است که مبتنی بر بهترین جفت سازی اتصالات (BEST FITTING) بین مقادیر شبیه سازی شده وا ندازه گیری شده ازویژگی های دستگاه خروجی می باشد. به منظور بررسی مهارت مدل پیشنهادی از شبیه ساز SPICE برای طراحی برخی از مدارهای الکترونیکی A/D استفاده شده است. اهمیت وابستگی خازن کوانتومی به ولتاژ قطب S نشان داده می شود اثرات مقاومت کوانتوم CNT بررسی می شود.