تحلیل و بررسی اثرات دمایی ترانزیستور nm 22 سیلیکون روی الماس ، مقایسه آن با همتا سیلیکون روی عایق و همچنین بررسی تغییرات دمایی ترانزیستورهای کناری

Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 374

This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ELEMECHCONF03_0980

تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395

Abstract:

در این مقاله با استفاده از شبیه سازی هیدرودینامیک، شرایط دمایی زیرپایه های سیلیکون روی عایق( SOI ) و سیلیکون روی الماس( SOD ) با طول کانال 22 نانومتر ، مورد بررسی قرار گرفته است . از آن جایی که الماس در مقایسه با اکسید سیلیکون دارای رسانایی گرمایی بسیار بالایی می باشد. در نتیجه با انتقال سریع گرما در زیرپایه های سیلیکون روی الماس دمای شبکه نسبت به زیرپایه های سیلیکون روی عایق کاهش می یابد، به طوری که می توان از این زیرپایه ها در شرایط دمایی یکسان ولی با توان بالاتر بهره برد. در مدارات مجتمع با بهره گیری از تکنولوژی سیلیکون روی الماس با هدایت یکنواخت و سریع گرما توسط لایه الماس، ترانزیستورهای کناری نیز با دمای ترانزیستور فعال همدما می شوند. در این مقاله اثر لایه الماس مدفون در انتقال گرمای منتقل شده به ترانزیستورهای کناری مورد بررسی قرار می گیرد و با ترانزیستور سیلیکون روی عایق با شرایط مشابه مقایسه می شود. این انتقال گرما موجب افزایش دمای ترانزیستورهای همسایه نیز می شود و اثرات مخرب و نامطلوبی مانند افزایش جریان خاموشی (Ioff ) را برای آن ها در بر خواهد داشت ومسئله عدم انطباق در مدارات مجتمع را موجب می گردد.

Authors

نوشین لادریان

دانشجوی کارشناسی ارشد، دانشگاه شهرکرد، دانشکده فنی و مهندسی

آرش دقیقی

دانشیار،دانشگاه شهرکرد، دانشکده فنی و مهندسی،

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • دقیقی. آ، زمانی .ش. (1388)، "بررسی اثرات ترانزیستور nm 45 ...
  • Colinge .J. P. (2004), "SILICON- ON-INS ULA TOR TECHNOL OGY:MA ...
  • Shahidi .G.G. (2002), " SOI technology for the GHz era", ...
  • Fiegna.C. , Yang.Y, Sangiorgi. E , ONeil. A.G.(2008), " Analysis ...
  • Daghighi .A .(2013), " A novel structure _ improve DIBL ...
  • Goel.A.K , Tan.T.H. (2006), " High- temperature and self-heating effects ...
  • Bresson .N , Cristolovean. S _ Mazure .C , Letertre.F ...
  • Aleksov .A, Gobien.J.M, Li.X , Prater. J.T , Sitar. Z. ...
  • Raleva .K .(2008), "Is SOD Technology the Solution to Heating ...
  • Soderbag . A.(1995), "Evaluation of Silicon Device Processes Aimed For ...
  • Flandre.D. (1995), " Silicon-on- insulator technology for high temperature metal ...
  • Dessis Manual, ISE Integrated System Engineering, Version 10. ...
  • Annamali.N. K. (1 993), "Radiation Response ...
  • نمایش کامل مراجع