تحلیل و مدلسازی دو بعدی پتانسیل و ولتاژ آستانه ترانزیستورهای ماسفت دو گیتی بدون اتصال با در نظر گرفتن اثرات حاملهای داغ
Publish place: کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کاربردی
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 516
This Paper With 16 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEASCONF01_099
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
Abstract:
در این مقاله یک مدل دو بعدی پتانسیل کانال ماسفت دو گیتی بدون اتصال با بار محلی با استفاده از ترکیب روش مد ناپایدار و روش تقریب سهمی استخراج شده که برای شرایط کاری زیر آستانه تا آستانه برقرار است کانال ترانزیستور به سه ناحیه تقسیم شدهاست که در ناحیه دوم بار محلی ناشی از اثر میدان الکتریکی درین ایجاد می شود که در پتانسیل کانال تاثیر می گذارد پتانسیل الکتریکی درون کانال از مجموع دو قسمت پتانسیل کانال بلند و تغییرات پتانسیل به دلیل اثر جانبی میدان درین حاصل می شود این مدل برای کلیه نقاط کانال و برای حالت متقارن و نامتقران برقرار است براساس مدل ارایه شده برای پتانسیل رابطه ای تحلیلی برای ولتاژ آستانه ترانزییستور به دست آمده است که در آن اثرات بارهای محلی بر روی افت ولتاژ آستانه وارد شده است. تطبیق مناسب نتایج مدل معرفی شده برای پتانسیل کانال و ولتاژاستانه در ماسفت دو گیتی بدون اتصال با نتایج حاصل از شبیه سازی این ترانزیستور با نرم افزار ATLAS درستی مدل ارایه شده را نشان می دهد.
Keywords:
Authors
مرضیه طالبی
دانشکده مهندسی برق، واحد نجف آباد دانشگاه آزاد اسلامی واحد نجف آباد اصفهان ایران
سیدامیر هاشمی
دانشگاه شهرکرد دانشکده فنی و مهندسی شهرکرد ایران
مهدی دولتشاهی
دانشکده مهندسی برق واحد نجف آباد دانشگاههآزاد اسلامی واحد نجف آباد اصفهان ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :