طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان در محدوده فرکانسی 12-8 گیگاهرتز باند X
Publish place: کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کاربردی
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 610
This Paper With 17 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICEASCONF01_359
تاریخ نمایه سازی: 9 مرداد 1395
Abstract:
تقویت کننده ها از اصلی ترین قسمتهای سیستمهای میکروویو و RF میباشند که رفتار آنها روی رفتار کلی سیستم به شدت تأثیر دارد. تقویت کننده ها خود به دسته های مختلفی تقسیم میشوند که تقویت کننده های توان از مهمترین این دسته ها میباشد . وظیفه تقویت کننده های توان بالا بردن سطح توان سیگنال برای انتقال توسط آنتن میباشد که معمولاً بهعنوان آخرین طبقه در سیستم فرستنده قرار میگیرد و بعدازآن آنتن به طور مستقیم یا توسط سویچ یا دپلکسر سیستم فرستنده/ گیرنده قرار میگیرد. مدار در تکنولوژی 0.18um منطق CMOS با استفاده از نرم افزار ADS صورت پذیرفت. شبیه سازی در باند X صورت گرفته و علاوه بر پارامترهای خطی ترانزیستور، پارامترهای غیر خطی ترانزیستور نیز بررسی گشته از اینرو علاوه بر پارامترهای S پارامترهای X ترانزیستور که مبنای انجام این تحقیق بوده است، نیز شبیه سازی شدهاست. نتایج حاصله از مدار در فرکانس GHz 10 شامل ولتاژ خروجی 2.8v توان خروجی dBm 18.55 بهره 8.275 PAW برابر 63.249 می باشد.
Keywords:
باند X تقویت کننده کلاس E , پارامترها S پارامترهای X
Authors
رامک قلعه نویی
دانشکده فنی و مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی اراک
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :