طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان در محدوده فرکانسی 12-8 گیگاهرتز باند X
عنوان مقاله: طراحی و شبیه سازی تقویت کننده توان در محدوده فرکانسی 12-8 گیگاهرتز باند X
شناسه ملی مقاله: ICEASCONF01_359
منتشر شده در کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کاربردی در سال 1394
شناسه ملی مقاله: ICEASCONF01_359
منتشر شده در کنفرانس بین المللی مهندسی و علوم کاربردی در سال 1394
مشخصات نویسندگان مقاله:
رامک قلعه نویی - دانشکده فنی و مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی اراک
خلاصه مقاله:
رامک قلعه نویی - دانشکده فنی و مهندسی برق الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی اراک
تقویت کننده ها از اصلی ترین قسمتهای سیستمهای میکروویو و RF میباشند که رفتار آنها روی رفتار کلی سیستم به شدت تأثیر دارد. تقویت کننده ها خود به دسته های مختلفی تقسیم میشوند که تقویت کننده های توان از مهمترین این دسته ها میباشد . وظیفه تقویت کننده های توان بالا بردن سطح توان سیگنال برای انتقال توسط آنتن میباشد که معمولاً بهعنوان آخرین طبقه در سیستم فرستنده قرار میگیرد و بعدازآن آنتن به طور مستقیم یا توسط سویچ یا دپلکسر سیستم فرستنده/ گیرنده قرار میگیرد. مدار در تکنولوژی 0.18um منطق CMOS با استفاده از نرم افزار ADS صورت پذیرفت. شبیه سازی در باند X صورت گرفته و علاوه بر پارامترهای خطی ترانزیستور، پارامترهای غیر خطی ترانزیستور نیز بررسی گشته از اینرو علاوه بر پارامترهای S پارامترهای X ترانزیستور که مبنای انجام این تحقیق بوده است، نیز شبیه سازی شدهاست. نتایج حاصله از مدار در فرکانس GHz 10 شامل ولتاژ خروجی 2.8v توان خروجی dBm 18.55 بهره 8.275 PAW برابر 63.249 می باشد.
کلمات کلیدی: باند X تقویت کننده کلاس E، پارامترها S پارامترهای X
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/483209/