لیلا راستگو - موسسه آموزش عالی سراج- دانشکده فنی مهندسی برق- تبریز- ایران
نسیم ملا اسماعیلی - موسسه آموزش عالی سراج - دانشکده فنی مهندسی برق- تبریز- ایران
حامد علیپور بنائی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد تبریز- گروه مهندسی الکترونیک- تبریز- ایران

در این مقاله ما کاهش میزان انعکاس از سطح سلول خورشیدی لایه نازک سیلیکون آمورف هیدروژنه و افزایش جذب در سلول خورشیدی را در بازه nm350 تا nm850 با استفاده از کریستال های فوتونیکی دو بعدی با شبکه مثلثی حفره به عنوان لایه ضد بازتابنده، در مقایسه با سلول های خورشیدی سیلیکون آمورف هیدروژنه با پوشش ضد بازتابنده از جنس اکسید رسانای شفاف، ایندیم تین اکسید (ITO) را ارائه می دهیم. شبیه سازی ها در بازه nm350 تا nm850 با استفاده از شبیه ساز FDTD انجام می شود. در این ساختار از پوشش ضد بازتابنده کریستال فوتونیکی حفره هوا با ساختار مثلثی از جنس ITO استفاده می شود، که باعث کاهش انعکاس 2.9% از سطح سلول خورشیدی و افزایش انتقال نور 4.11% به لایه جاذب، نسبت به لایه ضد بازتابنده غیر کریستال فوتونیکی می شوند

سلول خورشیدی لایه نازک، سیلیکون آمورف هیدروژنه، کریستال فوتونیک، میزان جذب ، لایه ضد بازتاب