بررسی رفتار و مدلسازی یک ترانزیستور نوری دو قطبی نامتجانس
Publish place: 9th Iranian Student Conference on Electrical Engineering
Publish Year: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 4,331
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE09_096
تاریخ نمایه سازی: 13 اسفند 1386
Abstract:
ترانزیستور های نوری برای استفاده در دریافت کننده های مدار مجتمع نوری استفاده می شوند. در این تحقیق، آنالیز رفتار نویز در یک ترانزیستور دو قطبی نامتجانس که بصورت آشکار ساز نوری سه پایه بکار می رود، ارائه میگردد. در اینکار، نسبت سیگنال به نویز در خروجی و نویز ها و پارامترهای اصلی مورد بررسی قرار می گیرند. این مدل برای مشخصه Inp/InpGaAs که به صورت آشکارساز نوری در ناحیه طول موج 1.55 میکرومتر بهکار می رود استفاده می شود.
Keywords:
ترانزیستور دو قطبی نامتجانس (HBT) , دیودهای نوری بهمنی (APD)
Authors
عباس قدیمی
دانشجوی دکترا دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم، تحقیقات و فناوری
پانته آ پرور
کارشناس الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان
مریم پورابراهیمی
کارشناس الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان
نفیسه واله صابر
کارشناس الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد لاهیجان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :