شکوفه نقی زاده - دانشجوی کارشناسی ارشد موسسه آموزش عالی روزبهان
محمد غلامی - استادیار دانشکده فنی و مهندسی- دانشگاه مازندران.

رشد و پیشرفت روز افزون مدارات دیجیتال، درخواست های بالای تولیدات قابل حمل و کاهش توان مصرفی بسیار مورد توجه قرار گرفته است به طوری که در اکثر تحقیقات اخیر، توان یکی از بحرانی ترین محدودیت هاست. حافظه های استاتیکی مهترین قسمت های مدارات دیجیتال هستند. در کنار این مسئله، اتلاف انرژی حافظه نسبت به سایر قسمت ها در چیپ، در حال رشد است و با توجه به دسترسی های متناوب به حافظه، بخش عمده ای از توان مصرفی (در حدود 45 درصد) را در سیستم ها اتلاف می نمایند. از این رو در طراحی SRAM باید این موضوع را مد نظر داشت و از تکنیک های کاهش توان مصرفی استفاده نمود. با توجه به اهمیت کاهش توان مصرفی حافظه هایSRAM این مقاله به بررسی و مقایسه سه طرح جدید از SRAM با قابلیت کاهش توان مصرفی نسبت به سلول متدوال شش ترانزیستوری، می پردازد

حافظه های استاتیکی SRAM کاهش توان مصرفی، جریان نشتی، جریان زیر آستانه