آنالیز و شبیه سازی سه بعدی اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون - فونون در ترانزیستور های نانوسیمی
Publish place: 11th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1387
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 1,974
This Paper With 6 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ISCEE11_187
Index date: 5 March 2008
آنالیز و شبیه سازی سه بعدی اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون - فونون در ترانزیستور های نانوسیمی abstract
در این مقاله یک ترانزیستور نانو سیمی با طول کانال طویل به صورت سه بعدی شبیه سازی شده است. این شبیه سازی در دو مرحله ، محدوده بالستیک و درحضور اثرات متقابل الکترون – فونون برای تحلیل بهتر اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون – فونون در ترانزیستور های نانو سیمی انجام شده است. برای این شبیه سازی معادلات خود انرژی مکان فضایی با استفاده از تئوری دگردیسی و تقریب Born خودسازگار برای داخل شیارها و مکانیزم پراکندگی فونون داخل شیارها بدست آمده است. البته شایان ذکر است که در تابع گرین ناترازمند از تقریب های اثر جرم و hartree استفاده شده است. نتایج نشان می دهد که جریان درین، انتشار حالتهای چگالی محلی است و انرژی انتقالی از الکترونها در حضور اثرات الکترون – فونون نسبت به محدوده بالستیک کاهش می یابند.
آنالیز و شبیه سازی سه بعدی اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون - فونون در ترانزیستور های نانوسیمی Keywords:
آنالیز و شبیه سازی سه بعدی اثرات مکانیزم های پراکندگی الکترون - فونون در ترانزیستور های نانوسیمی authors
حسین عبداله
دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی
دانشگاه سمنان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :