آنالیز و شبیه سازی مشخصات الکتریکی و دمایی ترانزیستورهای SOI-MOSFET چند لایه ای با نیترید سیلیسیم
Publish place: 11th Iranian Student Conference on Electrical Engieering
Publish Year: 1387
Type: Conference paper
Language: Persian
View: 2,555
This Paper With 5 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- I'm the author of the paper
Export:
Document National Code:
ISCEE11_189
Index date: 5 March 2008
آنالیز و شبیه سازی مشخصات الکتریکی و دمایی ترانزیستورهای SOI-MOSFET چند لایه ای با نیترید سیلیسیم abstract
در این مقاله مشخصات الکتریکی وعملکرد دمایی ترانزیستور های SOI-MOSFET چند لایه ای با نیترید سیلیسیم تجیه و تحلیل و با ساختار های مشابه مقایسه شده است. استفاده از نیترید سیلیسیم با هدایت گرمایی بالاتر نسبت به اکسید سیلیسیم مهمترین ویژگی ساختار ترانزیستور های SOI-MOSFET چند لایه ای می باشد. نتایج بدست آمده نشان می دهند که در ساختار ارائه شده به ازای بایاس هایمتفاوت گیت از کاهش جریان درین در کانال جلوگیری شده و مشخصات خروجی بهبود می یابند. علاوه بر این دمای کانال و مقاومت دیفرانسیلی منفی نیز در دماهای بالا کاهش یافته و بهبود اثرات خودگرمایی را تایید می کنند. بنابراین با ستفاده از این ساحتار نوین می توان انتظار داشت که تکنولوژی SOI همچنان به عنوان یکی از تکنولوژی های مطرح در صنعت الکترونیک به ایفای نقش بپردازند.
آنالیز و شبیه سازی مشخصات الکتریکی و دمایی ترانزیستورهای SOI-MOSFET چند لایه ای با نیترید سیلیسیم Keywords:
آنالیز و شبیه سازی مشخصات الکتریکی و دمایی ترانزیستورهای SOI-MOSFET چند لایه ای با نیترید سیلیسیم authors
سارا حیدری
گروه مهندسی برق دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی
گروه مهندسی برق دانشگاه سمنان