طراحی یک تقویت کننده کلاس F با راندمان بالا
Publish place: دومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 623
This Paper With 16 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON02_146
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
Abstract:
اساس ساختمان تقویت کننده های توان قطعه فعال ( ترانزیستور ) است ، که نقش اصلی در تعیین قابلیت های تقویت کننده های توان از لحاظ توان خروجی ، بهره ، بازدهی ، خطسانی و پهنای باند را بازی می کند . تقویت کننده توان المان اصلی برای ساختن سیستم های ارتباطی بی سیم می باشد. تقویت کننده توان ، یک توان تغذیه DC را به یک مقدار خاصی از فرکانس رادیویی ( RF ) و یا توان مایکروویو تبدیل می کنند . تولید توان RF / مایکروویو نه تنها برای سیستم های انتقال بی سیم، بلکه برای برنامه های کاربردی مانند پخش کننده پارازیت ، تصویربرداری و گرمایش RF مورد نیاز است. در این پروژه از یک مدل آماده ترانزیستور GaAs-PHEMT با نام MRFG35010 ساخت شرکت MOTOROLA استفاده میکنیم . تقویت کننده توان پیشنهادی با استفاده از کلاس F در فرکانس مرکزی 2/14 گیگاهرتز با بازده 75/16 درصد طراحی شده است
Keywords:
Authors
ریحانه کام روا
گروه برق ، واحد آشتیان ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان ، ایران
شعبان رضائی برجلو
گروه برق ، واحد آشتیان ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد آشتیان ، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :