بررسی عملکرد سلول های خورشیدی لایه نازک CIGS با تغییر فزیکی لایه جاذب

در این مقاله به بررسی عملکرد سلول خورشیدی، با ساختار 2Se xGax-1Cu می پردازیم ،سلول خورشیدی CIGS شامل لایه های ZnO (لایه TCO) Cd_S (لایه بافر) CIGS لایه جاذب و لایه MO زیر لایه می باشد، که لایه Cd_S و CIGS تشکیل یک پیوند PN می دهند. با استفاده از نرم افزار SILVACO سلول خورشیدی CIGS را شبیه سازی نموده ، ابتدا با تغییر ضخامت لایه جاذب و سپس ضخامت لایه جاذب را ثابت و ناخالصی آن را تغییر داده و اثر آن بر روی عملکرد سلول را مورد بحث و بررسی قرار داده خواهد شد ، پارامترهای مهم یک سلول خورشیدی که در اینجا بررسی خواهد شد شامل ولتاژ مدار بازVoc جریان اتصال کوتاه ISC ماکزیمم توان Pmax عامل پرکننده ff و راندمان Efficiency می باشد. بعد از شبیه سازی های انجام شده متوجه شدیم که افزایش ضخامت لایه جاذب برعملکرد سلول خورشیدی اثر دارد ، البته این لایه را نمی توان بیش از حد ضخیم کرد چون دیگر نمی توان سلول خورشیدی را لایه نازک فرض کرد ، همچین افزایش ناخالصی لایه جاذب بعضی از پارامترها را بهبود و بعضی از پارامترهای سلول خورشیدی را کاهش می دهد.

Keywords:

راندمان , لایه جاذب , CIGS , SCI , Voc