پیادهسازی مدل فشرده مداری ترانزیستورهای اثرمیدانی مبتنی بر نانولوله کربنی
Publish place: دومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 333
This Paper With 19 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON02_170
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
Abstract:
کاهش مقیاس قطعات، نیروی محرکهای در پیشرفت تکنولوژی از آغاز قرن نوزدهم بوده است. تکنولوژی 65 نانومتر در سال 2006 و تکنولوژی 45 نانومتر در سال 2007 مورد استفاده قرار میگرفت. اما کاهش خیلی زیاد مقیاس با برخی از محدودیتهای جدی مواجهه شده است. این محدودیتها به فناوری ساخت و اجرای دستگاه مربوط میشود. در این مقاله ، مدل فشرده مداری 5 خازنی برای ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله کربنی با استفاده از نرمافزار ADS پیشنهاد شده است. این مدل شامل پراکندگی فونون و جریان تونلزنی باند به باند میباشد. کدی که در verilog-A نوشته شده، توسط ترانزیستور نمادی از 5 ترمینال به ADS پیوند یافته است. این کد توسط شبیهسازی مشخصات I-V ا ز کانال n و کانال p ، CNTFET بازبینی شده است .در اینجا ضمن محاسبه پارامترها به مقایسه نتایج حاصله نیز پرداخته ایم.ملاحظه می شود نتایج بدست آمده با آنچه در کارهای مشابه گزارش شده است تطابق کامل دارد
Keywords:
Authors
شیما صانعی
دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
محمد شعبانی
عضو هیئت علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد نور
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :