طراحی و شبیه سازی تقویت کننده کم نویز در فناوری CMOS برای رسیدنبه بهره dB 48 با استفاده از اتصال ضربدری و ساختار کسکود
Publish place: دومین کنفرانس بین المللی علوم و مهندسی
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 531
This Paper With 12 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICESCON02_202
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
Abstract:
ساختار تقویت تقویت کنندهی کم نویز نوع خاصی از تقویت کنندههای الکترونیکی است که در سیستمهای مخابراتی برای تقویت سیگنالهای گرفته شده از آنتن به کار میرود و اغلب در فاصله ی کمی از آنتن قرار میگیرد تا افت سیگنال در خطوط به حداقل ممکن برسد. تقویتکنندهی کم نویز به عنوان اولین طبقه در مسیر گیرنده بیشترین سهم را در نویز گیرنده دارد و طراحی آن با توان مصرفی کم و بهرهی بالا میتواند راه گشای یک سیستم بسیار ارزان باشد که تمام اجزای آن روی یک تراشه قراربگیرد. در این مقاله برای طراحی مدار تقویتکنندهی کم نویز از فناوری CMOS μm 0/13 استفاده شده است. تقویت کنندهی کم نویز ارائه شده در این مقاله از ساختار خازن ضربدری به منظور رسیدن بهتوان مصرفی پایین استفاده میگردد. همچنین از یک طبقه کسکود و مدار گیت مشترک ساختار دیگری میباشد که بعد از ساختار خازن ضربدری استفاده شده است. با استفاده از ساختار کسکود میتوانیم به یک تطبیق مناسب در ورودی برسیم. دست یافتن به بهره بالا از دیگر ویژگیهای این مدار میباشد
Keywords:
Authors
پریسا تقی زاده
دانش آموخته کارشناسی ارشد الکترونیکدانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
مریم تقی زاده
دانش آموخته کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
سعید تقی زاده
دانش آموخته کارشناسی ارشد الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
عباس کمالی
عضو هیئت علمی گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :