بهروز رضائی - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
منوچهر کلافی - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز

در این مقاله تشکیل گاف فوتونی کامل در یک کریستال فوتونی دو بعدی هگزاگونال که شامل میله های دی الکتریک غیرایزوتروپیک تلوریم (Te) در زمینه هوا است، بررسی می شود . فرض می کنیم این میله ها از یک هسته دی الکتریک که بوسیله لایهخارجی غیر ایزوتروپیک Te احاطه شده، تشکیل می یابند . تمامی گافهای فوتونی کامل در این کریستال فوتونی بر حسب تابعی ازتغییرات شعاع میله داخلی و هسته دی الکتریک مطالعه می شود . این ساختار یک گاف فوتونی کامل بزرگ را نشان می دهد.

امواج الکترومغناطیس ، تابع دی الکتریک ، شبکه هگزاگونال ، کریستال فوتونی ، گاف فوتونی