گاف نواری در SCISSOR یک کانال تعمیم یافته
عنوان مقاله: گاف نواری در SCISSOR یک کانال تعمیم یافته
شناسه ملی مقاله: ICOPTICP14_031
منتشر شده در چهاردهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران در سال 1386
شناسه ملی مقاله: ICOPTICP14_031
منتشر شده در چهاردهمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران در سال 1386
مشخصات نویسندگان مقاله:
فاطمه بازوبند - دانشگاه ولی عصر رفسنجان (عج)،دانشکده علوم، بخش فیزیک
اعظم حسن زاده سمانی - دانشگاه ولی عصر رفسنجان (عج)،دانشکده علوم، بخش فیزیک
علی رضا بهرام پور - دانشگاه صنعتی شریف، دانشکده علوم، بخش فیزیک ؛ دانشگاه ولی عصر رفسنجان
خلاصه مقاله:
فاطمه بازوبند - دانشگاه ولی عصر رفسنجان (عج)،دانشکده علوم، بخش فیزیک
اعظم حسن زاده سمانی - دانشگاه ولی عصر رفسنجان (عج)،دانشکده علوم، بخش فیزیک
علی رضا بهرام پور - دانشگاه صنعتی شریف، دانشکده علوم، بخش فیزیک ؛ دانشگاه ولی عصر رفسنجان
ساختارهای پریودیک نوری تشکیل بلور فوتونی می دهند. در بلورهای فوتونی رابطه پاشندگی از نوارهای جدا از هم تشکیل شده است و امواج الکترومغناطیسی اجازه انتشار در قسمتهایی از باند فرکانسی را ندارند که به آنها شکاف انرژی گفته می شود. در این مقاله رابطه پاشندگی برای میکروحلقه های تزویج شده ی جایگزیده شده در کنار یک موجبر مورد بررسی قرار گرفته و بستگی نوارها را به ضریب کوپلاژ بین میکروحلقه ها و همچنین ضریب کوپلاژ بین موجبر و میکروحلقه مورد بررسی قرار داده ایم.
کلمات کلیدی: SCISSOR،گاف نوار فتونی، پاشندگی
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/49193/