افزایش ولتاژ شکست و کاهش مقاومت حالت روشن ترانزیستور SOI-LDMOS با استفاده از یک لایه فلز در لایه ی اکسید مدفون
Publish place: The first international conference of modern research engineers in electricity and computer
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,080
This Paper With 9 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CBCONF01_0691
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
Abstract:
در این مقاله به منظور افزایش کارایی ترانزیستورهای ماسفت با نفوذ دوگانه ی افقی، ساختار جدیدی برای ادواتساخته شده با استفاده از تکنولوژی سیلیسیم روی عایق ارائه شده که در آن یک ناحیه ی فلزی در لایه ی اکسید مدفونقرار گرفته است. استفاده از لایه ی فلز در ساختار پیشنهادی موجب توزیع یکنواخت تر میدان الکتریکی در ناحیه ی رانشیشده و ولتاژ شکست افزایش می یابد. در کنار افزایش ولتاژ شکست، مقاومت حالت روشن افزاره نیز به دلیل افزایش غلظتناخالصی در ناحیه ی رانشی کاهش می یابد. نتایج شبیه سازی های انجام شده برای ساختار پیشنهاد شده بهبود قابل توجهیرا در مقاومت حالت روشن و ولتاژ شکست نسبت به ساختار متداول نشان می دهد.
Keywords:
Authors
حجت الله منصوری
کارشناس ارشد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتردانشگاه سمنان.
علی اصغر اروجی
استاد، دانشکده مهندسی برق و کامپیوتردانشگاه سمنان
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :