نانو ترانزیستور سیلیکون روی الماس دو لایه جهت بهینه سازی میدان الکتریکی نفوذی درین و کاهش اثر (DIBL)
Publish place: The first international conference of modern research engineers in electricity and computer
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 497
This Paper With 7 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CBCONF01_0721
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
Abstract:
یک ساختار سیلیکون روی الماس برای بهبود اثر DIBL (کاهش سد پتانسیل ناشی از درین)معرفی شده است. نفوذ میدان الکتریکی در عایق از بین رفته الماس اثر DIBL را کاهش می دهید.در ساختار جدید، ماده دوم با عایق مضاعف مثل (SIO(2 ، روی عایق زیرین اضافه شده و تا اندازه ایالماس را پوشش می دهد. ماده عایق دوم، گذردهی الکتریکی پایینی دارد. ازاینرو ظرفیت الکتریکیمیدان حاشیه ای کوچک تر است. نتایج شبیه سازی ترانزیستور سیلیکون در الماس 22 نانومتری،بهبود 18 درصدی را برای اثر DIBL در مقایسه با ساختار مرسوم سیلیکون روی الماس (SOD)نشان می دهد، افزایش 5 درصدی دمای شبکه در ساختار جدید نسبت به SOD مرسوم مشاهده شد.
Keywords:
کاهش سد پتانسیل ناشی از دریین (DIBL) , ترانزیسیتور سییلیکون روی المیاس SOD – میدان الکتریکی نفوذ درین
Authors
غلامرضا امینی
کارشناس ارشد مهندسی برق الکترونیک شرکت ورق خودرو چهارمحال و بختیاری
رحمت الله محبی
کارشناس شرکت ورق خودرو چهار محال و بختیاری
صالح شیوندی
کارشناس شرکت ورق خودرو چهار محال و بختیاری
سجاد خلیلیان
کارشناس شرکت ورق خودرو چهار محال و بختیاری
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :