مهسا امیدی - کارشناس ارشد ، گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی ،دانشگاه رازی کرمانشاه
غلامرضا کریمی - دانشیار گروه برق ، دانشکده فنی و مهندسی دانشگاه رازی کرمانشاه
عبدالرضا نبوی - استاد گروه برق، دانشکده فنی مهندسی دانشگاه تربیت مدرس

در این مقاله یک تقویت کننده توزیع شده کم نویز در باند 18GHz)Kuـ12) با استفاده از تکنولوژی 180نانومتر CMOS ، ارائه شده است. با استفاده از ساختار بالاگذر در خط خروجی و ساختار پایین گذر در طبقات میانی، ازخاصیت ضرب پاسخ فرکانسی پایین گذر در بالاگذر برای دستیابی به پاسخ فرکانسی میان گذر در باند Ku استفادهشده است. تکنیک کاهش نویز در این مقاله بر اساس حذف مقاومت پایانی خطوط انتقال بین طبقات است. با این ایده، عددنویز ساختار پیشنهادی کمتر از ساختارهای متداول شدهاست. بمنظور هموارسازی پاسخ فرکانسی از یک سلف سری درطبقه دوم برای ایجاد پیک در محلی که بهره کمینه است، استفاده کردهایم. تکنیک ارائه شده با استفاده از تکنولوژی 180نانومتر CMOS شبیه سازی شده است. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که تقویت کننده دارای عدد نویز بین 2/7 تا 3 دسیبل به ازای بهره میانگین 20/6dB است. همچنین توان مصرفی تقویت کننده مورد نظر به همراه مدار بایاس طراحی شدهبرای آن، برابر 40mW می باشد.

تقویت کننده توزیع شده، تقویت کننده کم نویز، خط انتقال مصنوعی، فیلتر میان گذر