ارزیابی کارآیی حافظه SRAM در فناوری مجتمع سازی سه بعدی
Publish place: The first international conference of modern research engineers in electricity and computer
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 639
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CBCONF01_0926
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
Abstract:
مجتمع سازی سه بعدی حافظه برای حفظ قانون مور ضروری می باشد. در مجتمع سازی سه بعدی، حافظه ها میتوانند بر روی پردازنده ها پشته سازی شوند. (Through-silicon via (TSV به عنوان راه حلی امیدوار کننده درساخت افزاره های پشته سه بعدی پدید آمده است که ارتباطات میان تراشه های پشته را به صورت عمودی برقرار می کند.در این مقاله یک حافظه 512 بیت SRAM شش ترانزیستوری سه بعدی با تکنولوژی 180 نانومتری و ولتاژ تغذیه 1.8ولت، با نرم افزار HSPICE طراحی و بررسی شده است. در این حافظه طبقات با استفاده از TSV باهم در ارتباطهستند. مصرف توان این 1.01SRAM میلی وات و زمان دسترسی خواندن و نوشتن به ترتیب 231 پیکوثانیه و 111پیکو ثانیه می باشد.
Authors
مرتضی محمدی
کارشناس ارشد الکترونیک، دانشگاه روزبهان، ساری
مرتضی قلی پور
عضو هیات علمی، دانشکده برق و کامپیوتر، دانشگاه صنعتی نوشیروانی بابل
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :