تاثیر تغییرات طول گیت و ضریب دی الکتریک عایق گیت بر فرکانس قطع ماسفت دو گیتی بدون پیوند

Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 756

This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

CBCONF01_0992

تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395

Abstract:

در این مقاله با استفاده از نرم افزار Silvaco در محیط Atlas انواع ماسفت های دوگیتی بدون پیوند در سه ساختارمختلف از لحاظ تغییر در طول گیت، جنس اکسید (عایق دی الکتریک) و دوپینگ افزاره، شبیه سازی و پارامترهای مربوطبه تغییرات جریان درین نسبت به ولتاژ گیت، هدایت الکتریکی، مقدار خازن گیت در نهایت فرکانس قطع عملیاتی افزارهبررسی شده است. در ماسفت های دوگیتی بدون پیوند با طول گیت متفاوت وقتی طول گیت را کاهش دادیم جریان درینافزایش یافته و این افزایش موجب افزیش هدایت الکتریکی و فرکانس قطع عملیاتی افزاره شد. و با انتخاب جنس اکسید ازنوع (SiO(2)(k=3.9 به جای ( AL(2)O(3)(k=9.1 و (Si(3)N(4)(k=7.8 مشاهده گردید در ضریب دی الکتریک پایین، جریاندرین بالا ، هدایت الکتریکی بالا و افزایش فرکانس قطع مشاهده می گردد ولی از طرفی استفاده از عایق دی الکتریک باضریب کم (k=3.9) باعث افزایش اثرات کانال کوتاه علی الخصوص اثر DIBL می گردد که بایستی مصالحه ای بینافزایش اثرات کانال کوتاه و افزایش فرکانس قطع لحاظ شود.

Keywords:

ماسفت دو گیتی معمول , ماسفت دو گیتی بدون پیوند , فرکانس قطع , اثرات کانال کوتاه

Authors

پیمان نیک سرشت

دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ممقان

سیدرضا حسینی

استادیار گروه برق الکترونیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد خوی

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • ی.پ.تسویدیس، (1378).عملکرد و مدلسازی ترانزیستور، MOS ترجمه دکتر مرتضی فتحی ...
  • ر. پیرت، (1372. ادوات اثر میدانی، ترجمه دکتر محمد کاظمی ...
  • I7] بن جی استریتمن، (تیر ماه 1376) فیزیک الکترونیک ترجمه ...
  • Chang, L. (2001). Scaling Limits and Design Consideration for Double-Gate ...
  • Waite, A. M., Lloyd, N. S., Ashburn, P., Evans, A. ...
  • Kuo, J. B., & Lin, S. C. (2004). Low-voltage SOI ...
  • Walls, T. J., Sverdlov, V. A., & Likharev, K. K. ...
  • Roy, K., Mukhop adhyay, S., & Mahmoodi -Meimand, H. (2003). ...
  • Duarte, J. P., Choi, S. J., Moon, D. I., & ...
  • Sahu, C., & Singh, J. (2014). Device and circuit performance ...
  • نمایش کامل مراجع