محسن سجادنیا - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه شیراز
سجاد دهقانی - دانشکده فناوری های نوین، دانشگاه شیراز
محمدحسین شیخی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه شیراز

در این مقاله یک ساختار جدید برای سلول خورشیدی لایه نازک CIGS پیشنهاد می گردد. طراحی و شبیه سازیاین تحقیق با استفاده از نرم افزار SCAPS-1D انجام گردیده است.محاسبات و شبیه سازی انجام گرفته نشان می دهدکه با اضافه نمودن یک لایه SnS به یک سلول خورشیدی لایه نازک CIGS متداول که در آن یک لایه CdS با ضخامت10nm به عنوان لایه بافر یک لایه ZnO با ضخامت 10nm به عنوان لایه پنجره و یک لایه CIGS با ضخامت 1um بهعنوان لایه جاذب در نظر گرفته شده، به طور کلی عملکرد سلول بهبود پیدا می کند و به راندمان تبدیل بالاتری دست پیدامی کنیم. مقادیر بهینه ضخامت لایه های جاذب برای رسیدن به بهترین عملکرد، در حالت بدون لایه SnS و با اضافه نمودنلایه SnS تعیین گردیده است . مشاهده می گردد که در سلول پیشنهادی به راندمان تبدیل η=27.32% چگالی جریاناتصال کوتاه( Jsc=36.69mA/cm(2 ،ولتاژ مدار باز Voc=0.86 V و F.F=%85.6 دست پیدا می کنیم که نسبت بهسلول خورشیدی لایه نازک CIGS متداول بهبود چشمگیری حاصل گردیده است.

سلول خورشیدی لایه نازک، CIGS ، راندمان تبدیل، SnS