طراحی و شبیه سازی سلول خورشیدی سه پیوندی InGaP/GaAs/Si با بازده بالا
Publish place: The Second International Conference and the Third National Conference on the Application of New Technologies in Engineering Sciences
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 824
This Paper With 13 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITCC02_076
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
Abstract:
با توجه به اینکه مصرف انرژی در جهان رو به افزایش است و منابع سوخت های فسیلی در حال اتمام هستند، از این روعلاقه به استفاده از منابع تجدیدپذیر از جمله انرژی خورشیدی رو به افزایش است.سلول های خورشیدی چند پیوندی بهدلیل اینکه طیف بیشتری از نور خورشید را جذب می کنند، نسبت به سلول های خورشیدی دیگر دارای بازده بیشتریهستند.از سوی دیگر سلول های خورشیدی سیلیکونی نیز برای مصارف زمینی به دلیل کم هزینه بودن و در دسترس بودنبا استفاده از نرم افزار InGaP/GaAs/Si از علاقه زیادی برخوردار هستند. در این مقاله سلول خورشیدی سه پیوندیسیلواکو طراحی و شبیه سازی شده است. که پس از تغییر ضخامت لایه ها و تغییر مواد بکار رفته در این سلول خورشیدی ولتاژ مدار باز ایده آل 3/05 ولت و جریان اتصال کوتاه ایده آل 14/41 میلی آمپر بر سانتی متر مربع و بیشترین بازده 38/55% به دست آمده است.
Keywords:
Authors
سینا عزیزی فر
دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
محسن ایمانیه
دانشگاه آزاد اسلامی واحد فسا
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :