بررسی تاثیر باز کردن گپ در طیف دیراک گرافن بر روی باندگپ فوتونی کریستال فوتونی بر پایه گرافن و معرفی روشی برای آشکارسازی آن
Publish place: The Second International Conference and the Third National Conference on the Application of New Technologies in Engineering Sciences
Publish Year: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 620
This Paper With 15 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ITCC02_620
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
Abstract:
در این مقاله تاثیر باز کردن گپ در طیف دیراک گرافن را بر روی باندگپ فوتونی کریستال فوتونی یک بعدی بر پایهگرافن تحت تاثیر میدان مغناطیسی استاتیک عمودی بررسی کردیم. مشاهده شد با افزایش گپ گرافن همواره یک لبهباندگپ فوتونی ثابت است و تغییر نمیکند و لبه دیگر آن، باز میشود و از لبه ثابت فاصله میگیرد. در نتیجه پهنایباندگپ فوتونی افزایش مییابد. اگرچه این تغییرات به اندازه تاثیر تغییر میدان مغناطیسی استاتیک و پتانسیل شیمیایی برروی باندگپ فوتونی نیست ولی همین تغییر کم نیز ارزشمند است و از آن برای شناسایی و اندازه گیری میزان گپ درطیف دیراک گرافن استفاده کردیم. در ادامه روشی را برای اندازهگیری میزان گپ باز شده در طیف گرافن با استفادهاز همین خاصیت ارائه کردیم که در آن با تابش یک موج الکترومغناطیسی به کریستال فوتونی بر پایه گرافن واندازه گیری میزان انتقال موج (S(21 از آن می توان گپ باز شده در طیف گرافن را اندازه گیری کرد.
Keywords:
Authors
علی امامی
گروه مهندسی برق-مخابرات، واحد تهران جنوب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
علیرضا ملکی جوان
استادیار دانشگاه هوایی شهید ستاری، دانشکده مهندسی برق، تهران، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :