علی امامی - گروه مهندسی برق-مخابرات، واحد تهران جنوب، دانشگاه آزاد اسلامی، تهران، ایران
علیرضا ملکی جوان - استادیار دانشگاه هوایی شهید ستاری، دانشکده مهندسی برق، تهران، ایران

بهکار بردن گرافن در کریستال فوتونی در محدوده فروسرخ کمتر رخ داده است و دلیلش محدودیتدر ساخت است. ولی به تازگی روشی برای ساخت پشته های گرافن/عایق ارائه شده است که با آنمی توان کریستال فوتونی بر پایه گرافن را ساخت. در این مقاله قابلیت تنظیم باندگپ فوتونی کریستالفوتونی یک بعدی بر پایه گرافن را برای مود با پلاریزاسیون دایروی چپگرد بررسی کردیم و مشاهدهشد با تغییر پتانسیل شیمیایی و میدان مغناطیسی استاتیک عمودی باندگپ فوتونی این مود به خوبی قابلتنظیم می باشد و همانند مود با پلاریزاسیون دایروی راستگرد این مود نیز دارای یک باند گپ فوتونیقابل تنظیم با ارزش است. مود با پلاریزاسیون دایروی چپگرد علاوه بر باندگپ فوتونی دارای یک باندگپ صفر نیز است که آن نیز قابل تنظیم میباشد. مشاهده شد برخلاف مود مثبت با افزایش میدانمغناطیسی و برای یک پتانسیل شیمیایی ثابت باندگپ فوتونی و همپنین گپ صفر کاهش می یابد. درانتها با توجه به نتایج به دست آمده یک فیلتر میان نگذر قابل تنظیم با استفاده از باندگپ فوتونی و یکفیلتر بالاگذر قابل تنظیم با استفاده از گپ صفر کریستال فوتونی یک بعدی بر پایه گرافن پیشنهاد دادیمکه عرض باند توقف فیلتر را میتوان با تغییر پتانسیل شیمیایی و میدان مغناطیسی عمودی تغییرداد.

کریستال فوتونی قابل تنظیم، گرافن، باندگپ فوتونی، فیلتر، تراهرتز