طراحی و آنالیز 6T SRAM با استفاده از تکنیک قرار دادن ترانزیستور پشته همزمان با به اشتراک گذاشتن ناحیه دیفیوژن مشترک در میان هر word line و جفت معکوس کننده
Publish place: کنفرانس بین المللی مهندسی برق
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 776
This Paper With 7 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE01_040
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
Abstract:
تقاضا برای SRAM به دلیل تبدیل شدن آن به جزء اصلی بسیاری از تراشه ها و همچنین کارآرایی بالا در مدارات VLSI، در حال افزایش است و توان مصرفی تبدیل به جز اصلی طراحی تراشه ها شده است. در این مقاله به شبیه سازی و آنالیز سلول 6T SRAM با استفاده از تکنیک پشته کردن جهت کاهش توان مصرفی همزمان با به اشتراک گذاشتن ناحیه دیفیوژن مشترکی در میان هر word line و جفت معکوس کننده پرداخته ایم. معماری مورد نظر با استفاده از نرم افزار Micro wind و با تکنولوژی 0.25 m طراحی و شبیه سازی شده و توان مصرفی و تأخیر در آن مورد بررسی قرار گرفته است
Keywords:
Authors
مجتبی سالمی
دانشجوی کارشناسی ارشد مهندسی برق،دانشگاه پیام نور تهران واحد تهران شمال،ایران
سیدجواد جوادی مقدم
عضو هیئت علمی دانشگاه پیام نور، دانشگاه پیام نور تهران واحد تهران شمال، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :