تئوری مقیاس برای مدل تحلیلی پتانسیل ترانزیستورهای ماسفت دوگیتی با آلایش کم
Publish place: کنفرانس بین المللی مهندسی برق
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 605
This Paper With 8 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE01_138
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
Abstract:
در تئوری مقیاس معمولی، آلایش کانال ترانزیستور ماسفت دو گیتی شدید در نظر گرفته می شود یا آن که ترانزیستور در شرایط زیر آستانه کار می کند. بنابراین، بار در معادله پواسون ثابت است و پاسخ معادله مقیاس به صورت تحلیلی به دست می آید. در صورتی که در آلایشهای کم یا شرایط کاری غیر از آستانه، حاملهای بار آزاد وجود دارند و بار در معادله پواسون ثابت نخواهد بود. در نتیجه، معادله مقیاس حالت قبل دیگر صادق نیست. در این مقاله یک مدل تحلیلی برای پتانسیل دو بعدی کانال ترانزیستور ماسفت دو گیتی با آلایش کم با استفاده از تئوری مقیاس ارایه شده است. در این حالت، معادله مقیاس در مرکز ترانزیستور در نظر گرفته می شود و بر اساس معادله یک بعدی پواسون با بار متغیر در راستای طول کانال، به صورت تحلیلی حل می شود که پتانسیل مرکزی را به دست می دهد. سپس با استفاده از این پتانسیل مرکزی، پتانسیل سطحی و ضرایب وابسته به مکان پتانسیل دو بعدی بر اساس تئوری مقیاس به دست می آیند. همچنین، تغییرات پتانسیل سطحی نسبت به پارامترهای فیزیکی ترانزیستور بررسی شده است. نتایج شبیه سازی پتانسیل ترانزیستور با نرم افزار Atlas، تطبیق خوبی با نتایج مدل پیشنهادی دارد که درستی مدل پیشنهادی را نشان می دهد.
Keywords:
Authors
سیدامیر هاشمی
گروه مهندسی برق، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه شهرکرد، شهرکرد، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :