پیاده سازی دو مالتی پلکسر 1×4 کم مصرف در تکنولوژی 32nm CMOS

Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 573

This Paper With 9 Page And PDF and WORD Format Ready To Download

  • Certificate
  • من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این Paper:

شناسه ملی سند علمی:

ICELE01_313

تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395

Abstract:

قطعات و مدارات کم مصرف در طراحی های VLSI امروز نقش مهمی را برعهده دارند به طوری که تقاضا برای قطعات و مدارات کم مصرف ، به سرعت در حال افزایش است و از این رو امروزه تکنیک های طراحی توان پایین به شدت مورد علاقه قرار گرفته است . دراین مقاله عملکرد مالتی پلکسر 1×4 در قالب دو مدار با تکنیک های متفاوت مورد بررسی قرار گرفته است و مصرف توان این دو مدار با طرح CMOS متداول مقایسه شده است. مدارات معرفی شده در تکنولوژی 32nm CMOS در نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده اند و نتایج نشان می دهد که این مدارات ،مصرف توان کمتری نسبت به مدارهای CMOS متداول دارند .

Authors

سکینه موریانی زاده

دانشجوی کارشناسی الکترونیک- دانشکده فنی مهندسی- دانشگاه پیام نور

عاطفه افسا

دانشجوی کارشناسی الکترونیک- دانشکده فنی مهندسی- دانشگاه پیام نور

مهدی فرجی

مربی- دانشکده فنی مهندسی- دانشگاه پیام نور

مراجع و منابع این Paper:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :
  • _ B.Dilli Kumar, A. Chandra Babu, V. Prasad, " A ...
  • . B. Dilli kumar , M.harathi _ "Design of Energy ...
  • . "Gate Diffusion Input (GDI)-a Technique for Low Power Design ...
  • . A .Morgenshtein, A.Fish , and I.A.Wanger, "Gate- Diffusion input(GDI) ...
  • نمایش کامل مراجع