افزایش بازده سلول خورشیدی GaAsبا ساختار p-i-n از طریق ایجاد باند انرژی میانی توسط نقاط کوانتومیInAs در ناحیه ذاتی آن
Publish place: کنفرانس بین المللی مهندسی برق
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 1,039
This Paper With 7 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE01_388
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
Abstract:
امروزه سلول خورشیدی باند میانی نقطه کوانتومی رویکرد تعهد بیشترین افزایش بازده سلول خورشیدی را دارد. در این مقاله سلول خورشیدی GaAs مرجع برپایه سلول با ساختار p-i-n و نقاط کوانتومی InAs که در ناحیه ذاتی آن قرار داده شده است و ترکیب AlxGa1-xAs به منظور استفاده در لایه پنجره برای بازده بالا و ارزیابی کارائی با پارامترهای مختلف مطالعه شده است. به وسیله بهبود ساختار و مواد در سلول مرجع p-i-n به بازده 34.03% رسیدیم و در ساختار سلول خورشیدی مبتنی بر نقاط کوانتومی از طریق کنترل اندازه و مکان قرار گیری نقاط کوانتومی سلول خورشیدی GaAs باند میانی نقطه کوانتومی به افزایش بازده 55.58% دست یافتیم. در حقیقت، سلول خورشیدی باند میانی مبتنی بر نقاط کوانتومی بازدهی بیشتری را ارئه میکند.
Keywords:
سلول خورشیدی نقطه کوانتومی , باند میانی انرژی , ساختار p-i-n , افزایش بازده , نانو مواد , نقاط کوانتومی
Authors
سیدسالار حسینی
کارشناسی ارشد مهندسی برق-الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات آذربایجانشرقی، تبریز، ایران
کریم عباسیان
دکترای مهندسی برق-الکترونیک، دانشکده مهندسی فناوریهای نوین دانشگاه تبریز، دانشگاه تبریز، تبریز، ایران
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :