محسن سجادنیا - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر دانشگاه شیراز
سجاد دهقانی - دانشکده فناوریهای نوین، دانشگاه شیراز
محمدحسین شیخی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه شیراز

در این مقاله یک ساختار جدید برای سلول خورشیدی لایه نازک CIGS با دو لایه جاذب که شامل یک لایه جاذب CIGS با گاف انرژی تدریجی و یک لایه جاذب CGSe با گاف انرژی ثابت (Eg=1.68 eV ) ارائه گردیده کلیه محاسبات و شبیه سازیهای این مقاله با استفاده از نرم افزار SCAPS-1D انجام گردیده است. محاسبات و شبیه سازیها نشان می دهند که با ساختار ارائه شده به طور کلی عملکرد سلول بهبود می یابد.ضخامتهای بهینه برای سلول محاسبه گردید به طوریکه در سلول خورشیدی دارای یک لایه پنجره ZnO با ضخامت 10nm و یک لایه بافرCdS با ضخامت 10nm و یک لایه جاذب CIGS با گاف انرژی تنظیم شده (Eg=1.1ev-1.65ev)با ضخامت 0.3 µmو یک لایه جاذب CGSe با گاف انرژی ثابت (Eg=1.68eV) و ضخامت 0.2µm ، به راندمان تبدیل η=24.95% وچگالی جریان اتصال کوتاه Jsc=41.13 mA/cm2و ولتاژ مدار باز Voc=0.763 V و F.F=79.46 % دست پیدا می کنیم. که نسبت به سلول خورشیدی لایه نازک CIGS متداول بهبود چشمگیری حاصل گردیده است.

سلول خورشیدی لایه نازک، CIGS ، راندمان تبدیل، CGSe