طراحی تقویت کننده کم نویز بهبود یافته برای کاربردهای باند موج میلی متری با خطسانی بالا
Publish place: کنفرانس بین المللی مهندسی برق
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 873
This Paper With 16 Page And PDF and WORD Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICELE01_434
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
Abstract:
در این مقاله، یک روش خطسانی بهبود یافته برای تقویت کننده های کم نویز فرکانس بالا (LNA) ارائه شده است. در ساختار پیشنهادی از اتصال دیودی دو ترانزیستور NMOS-PMOS با یک مقاومت و یک خازن بهره گرفته شده است و این امر منجر به بهبودخطینگی شده است. ساختار ارائه شده متشکل از دو طبقه بوده که طبقه اول به صورت سورس مشترک و طبقه دوم نیز به صورت کسکود طراحی شده است. مدار پیشنهادی در تکنولویی 18/0 میکرون با تغذیه 8/1 ولتی شبیه سازی شده و نتایج نشان داده است که مقدار خطینگی به اندازه dB7 بهبود داشته است. همچنین تقویت کننده کم نویز ارائه شده دارای ماکزیمم توان مصرفی برابر با 9/13 میلی وات است.
Keywords:
Authors
سینا نیکزادالمشیری
دانشجوی کارشناسی ارشد برق-الکترونیک موسسه آموزش عالی هدف ساری
ایمان اسماعیلی پایین افراکتی
استادیار و عضو هیئت علمی دانشگاه مازندران، دانشکده فنی و مهندسی
محمد غلامی
استادیار و عضو هیئت علمی دانشگاه مازندران، دانشکده فنی و مهندسی
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :