محسن ظفری - کارشناسی ارشد الکترونیک و مدرس دانشکده فنی و حرفه ای امام خمینی (ره) بهشهر

در این مقاله، از یک مدل جدید تقویت کننده کم نویز با توان کم در فرکانس GHz 33 با تکنولوژی CMOS 0.18μm ارائه شده است. این تقویت کننده کم نویز از یک ساختار کسکود تک طبقه شامل دو تقویت کننده گیت مشترک (C-G) که می تواند گین مورد نیاز را در فرکانس های بالا با اتلاف توان بسیار کم تولید نماید، تشکیل شده است. طراحی تقویت کننده کم نویز (LNA ) برای رسیدن به گین توان dB 12، IIP3 به اندازه dBm 1- و نویز فیگر dB 86/3-96/2 در پهنای باند dB 3 در محدوده فرکانسی GHz 36-30 می باشد. این تقویت کننده کم نویز درای مصرف توان mW 6/7 از یک منبع تغذیه 8/1 ولتی است.

تقویت کننده کم نویز،CMOS،موج میلیمتری،کم توان