شبیهسازی حسگر گاز اکسیژن بر مبنای نانونوار کاربید سیلیسیوم
Publish Year: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: Persian
View: 381
This Paper With 10 Page And PDF Format Ready To Download
- Certificate
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
RKES01_330
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
Abstract:
در این مقاله با استفاده از تابع گرین نامتعادل به همراه نظریه چگالی، به بررسی شبیهسازی حسگرگاز اکسیژن بر مبنای نانونوار کاربید سیلیسیوم میپردازیم. بدین منظور، یک مولکول گاز اکسیژن با چندین چینش مختلف را براییافتن بهترین موقعیت نشست گاز مورد بررسی قرار میدهیم. در تمام موارد، نتایج نشانگر تمایل اتمهای اکسیژن به اشغال اتمهای نزدیک به لبه میباشد. علاوه بر این، ما نشان دادهایم که اکسیژن میتواند مشخصه ولتاژ_ جریانساختار کاربید سیلیسیوم زیکزاگی را تغییر دهد و باعث ایجاد نوسانات جدید مقاومتی گردد. این تناوب به علت ناپیوستگی در ترکیبی از اوربیتالهای در طول نانونوار کاربید سیلیسیوم ایجاد شده است. این مدل، چینش ناپیوستگی را تغییر داده و باعث بروز نوسانات بیشتری در پاسخ جریان_ولتاژ میگردد. در ولتاژ بایاس کم نیز، تغییرات مشابه دیده شد. نتایج ما نشان میدهد که در چیدمان نانونوار کاربید سیلیسیوم زیکزاگی، وضعیت لبه حالت اصلی برای انتقال الکترون از یک الکترود به الکترود دیگر میباشد.
Authors
محمدرضا مسلمی اول
استادیار
مهرناز فهامی
دانشجو
مراجع و منابع این Paper:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این Paper را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود Paper لینک شده اند :